Si bien el nombre puede sonar complicado, esta tecnología está revolucionando
la forma en que cargamos nuestros teléfonos móviles y otros dispositivos
electrónicos. En esta nota, exploraremos en detalle qué es la tecnología GaN,
cómo funciona en cargadores de teléfonos móviles y cuáles son sus beneficios.
Desde su descubrimiento hace varias décadas hasta su uso actual, el nitruro de
galio ha recorrido un largo camino.
A medida que el mundo avanza, los consumidores esperan que sus dispositivos
sean cada vez más eficientes, más rápidos y más pequeños. La tecnología GaN es
una tecnología emergente que utiliza nitruro de galio (GaN) como material
semiconductor en lugar de silicio, que es el más utilizado en la electrónica. El GaN
es un material de banda ancha capaz de soportar altas tensiones y corrientes
eléctricas. También tiene una mayor movilidad electrónica y una mejor
conductividad térmica que el silicio, lo que lo hace ideal para su uso en
aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.
Actualmente podemos encontrar nitruro de galio en una amplia variedad de
objetos que utilizamos en nuestra vida cotidiana, como la iluminación LED, por
ejemplo. También se utiliza en la industria militar y espacial debido a su
capacidad para funcionar en condiciones extremas de temperatura y radiación.

¿Cómo funciona la tecnología GaN en los cargadores de teléfonos móviles?

Los cargadores de teléfonos móviles que utilizan tecnología GaN trabajan
mediante la creación de un convertidor DC-DC, que toma una entrada de
corriente alterna (AC) y la transforma en una salida de corriente directa (DC) que
se usa para cargar el teléfono móvil. La tecnología GaN permite a los cargadores
crear convertidores DC-DC más eficientes y compactos que los convertidores
tradicionales que utilizan silicio.
Pero, ¿por qué sucede esto? Acá nos ponemos un poquito técnicos: esto se debe
a que la banda prohibida del nitruro de galio es más ancha que la del silicio, lo
que significa que se requiere más energía para excitar a los electrones en el
material.
Esta es la característica del nitruro de galio que lo hace más resistente a altas
temperaturas y voltajes, e ideal para su uso en dispositivos de alta potencia como
este cargador Satechi con tecnología GaN.

¿Cuáles son los beneficios de la tecnología GaN?

Como mencionamos anteriormente, ofrece varias ventajas en términos de
eficiencia energética y sostenibilidad en comparación con los materiales
semiconductores convencionales.

● Capacidad para manejar altas tensiones y corrientes sin generar tanto
desperdicio de energía y calor como el silicio: Esta propiedad única de la
tecnología GaN brinda como resultado una mayor eficiencia energética y
una reducción significativa en la cantidad de calor generado durante el
funcionamiento del dispositivo. En palabras simples, se pierde menos
energía, por lo que la tecnología GaN es más ecológica y económica a largo
plazo.
● Puede operar a altas frecuencias, lo que permite que los dispositivos sean
más compactos y livianos: Por ejemplo, los cargadores de teléfonos móviles
que utilizan tecnología GaN pueden ser hasta un 40% más pequeños que
los cargadores convencionales que utilizan silicio.
● El nitruro de galio además puede operar a estas altas frecuencias sin
perder eficiencia: Esto lo hace particularmente útil en aplicaciones donde
la temperatura es un factor crítico, como en la industria automotriz o en la
iluminación LED.

En conclusión, hablamos de una tecnología emergente que está cambiando la
forma en que cargamos nuestros dispositivos electrónicos, gracias a su mayor
eficiencia energética, menor producción de calor y su capacidad para funcionar a
altas frecuencias y temperaturas. A medida que la tecnología GaN siga
evolucionando, es probable que veamos más equipos que la utilicen, lo que
podría significar un futuro más eficiente y sostenible para la industria electrónica.